Page 168 - Télécom Evolution Catalogue 2018

INTERFACE RADIOFRÉQUENCE DES SYSTÈMES
DE TÉLÉCOMMUNICATIONS MOBILES

FC9DM02 DATES & LIEUX

3 jours 18 au 20 septembre 2017 à Paris
17 au 19 septembre 2018 à Paris
1880 €

OBJECTIFS ET PRÉSENTATION
Identifi er les spécifi cations radiofréquences des systèmes de télécommunication mobile (GSM, EDGE, UMTS). Utiliser les logiciels de
simulation de circuits radiofréquences et d’antennes. Concevoir la tête d’émission et de réception.

L’interface radio des systèmes de télécommunication mobile (GSM, EDGE, UMTS) est constituée à minima d’une antenne, d’un
duplexeur, d’amplifi cateurs de réception faible bruit et d’émission forte puissance. Cette formation donne une vue d’ensemble des
méthodes de conception et de simulation de ces dispositifs RF ainsi que leurs caractéristiques (NF, MDS, IP, ACLR, SDFR, etc.). Elle
présente aussi des contraintes de l’environnement sur les performances de l’antenne.

PARTICIPANTS ET PRÉREQUIS
Ingénieurs ou techniciens impliqués dans la recherche et développement de produits incluant le transport d’information par voie
radiofréquence.
Des connaissances de base dans le domaine des radiofréquences sont utiles pour suivre cette formation avec profi t.

PROGRAMME
Diff érentes classes de
Architectures RF des téléphones Conception d'antennes ƒ
mobiles ƒ fonctionnement (A, AB, B, E)
Mécanismes de rayonnement
Optimisation des caractéristiques
ƒ et principes de conception des ƒ
Exemples: GSM, EDGE, UMTS
des PA par la méthode source-pull et
Défi nitions et ordres de grandeur
ƒ antennes
des caractéristiques RF: NF, MDS, IP, ƒ load-pull
Grandeurs caractéristiques
Modélisation non linéaire des
PAR, ACLR, EVM, SFDR, etc. permettant de dimensionner une ƒ
Contraintes de consommation et de
ƒ antenne transistors
linéarité ƒ Travaux pratiques
Grandes familles d'antennes
ƒ (antennes fi laires, à ouvertures ƒ
Présentation de la technologie
Présentation du banc de mesure
intégrée RF, modèle électrique des rayonnantes) source-pull et load-pull de Télécom
Nouvelles générations d'antennes:
transistors, des inductances et des ƒ ParisTech
capacités actives, réseaux et imprimées ƒ
Simulation non linéaire d'un
Travaux pratiques Travaux pratiques amplifi cateur de puissance en
Modélisation globale de l'antenne
ƒ ƒ technologie HBT sur SiGe
Simulation d'un amplifi cateur faible
Représentation du spectre de sortie,
bruit 5 GHz pour la norme HiperLAN, (ADS, HFSS, ensemble, etc.) ƒ
à l'aide du logiciel ADS de AGILENT ƒ des courbes AMAM, AMPM et de
Utilisation de simulateurs
et des modèles électriques des électromagnétiques l'ACLR
Dimensionnement d'antennes à l'aide
composants de la fonderie OMMIC ƒ Synthèse et conclusion
ƒ d'outils simples (NEC, PCAAD, etc.)
Représentation des cercles de
stabilité, à bruit ou gain constant Amplifi cateurs de puissance
Calcul du NF et de l'IP3
ƒ
Transistors de puissance RF
ƒ
(MESFET, Hemt, HBT, etc.)
MICRO-ONDES
RESPONSABLE La formation comprend des travaux pratiques et
MODALITÉS PÉDAGOGIQUES
Jean-Christophe COUSIN
TECHNIQUES AVANCÉES DE COMMUNICATION localisation indoor, la modélisation
démonstrations qui permettent de valider les notions
Maître de conférences au
abordées.
département « Communications
et Électronique » de Télécom
ParisTech, ses activités de
recherche sont centrées sur la
de canal pour le standard LTE-A
ainsi que la génération de signaux
modulés pour le LTE-A.

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